系統(tǒng)概述：

針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。

測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)單元和多單元的模塊，系統(tǒng)安全穩(wěn)定，整體采用輪式機(jī)柜集成測(cè)試，具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:

門(mén)極觸發(fā)電壓/門(mén)極觸發(fā)電流測(cè)試單元IGT/VGT	陽(yáng)極電壓：12V 陽(yáng)極串聯(lián)電阻：6Ω 門(mén)極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V ±3%±10mV 門(mén)極觸發(fā)電流：2～450mA ±3%±1 mA
維持電流測(cè)試單元IH	陽(yáng)極電壓：12V 預(yù)導(dǎo)通電流：＞10A,正弦衰減波 維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA 測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/span>
通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM	平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5% 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA, 分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5% 電流上升沿時(shí)間：≥5ms 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5% 測(cè)試頻率：?jiǎn)未?/span>
斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID 反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元	阻斷電壓：0.20～6.00kV, 分辨率：0.01kV, 精度±0.1 kV±3% 模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV 正反向自動(dòng)測(cè)試 正/反向漏電流：0.2～100 mA, 分辨率：0.1 mA, 精度±5%±1 mA 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過(guò)所 設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)，測(cè)試頻率： 50HZ
斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt	電壓：1200V,1600V,2000V三檔， 1V，±5% 電壓過(guò)沖范圍：＜50V±10% DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs，1200V/μs±10%
阻斷參數(shù)測(cè)試單元	測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。
擎住電流IL	100-1800mA
平板夾具壓力范圍	6-60KN，氣動(dòng)加壓方式
門(mén)極電阻	適合門(mén)極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測(cè)試
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)	設(shè)備的所有工作程序，工作時(shí)序，開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)，數(shù)據(jù)的采集等均由計(jì)算機(jī)完成。工業(yè)控制機(jī)，具有抗電磁干擾能力強(qiáng)，排風(fēng)量大等特點(diǎn)。